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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時(shí)為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時(shí)），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動(dòng)態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開(kāi)關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。

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  BAR88-02V硅PIN二極管Infineon英飛凌 2024-10-11 09:18:30

  Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專(zhuān)為手持設(shè)備設(shè)計(jì)，具有低正向電阻（1 mA時(shí)為1.5Ω）、低電容（0.28 pF@1 GHz）、極低信號(hào)失真和無(wú)鉛RoHS封裝。適用于無(wú)線通信（如手機(jī)、WLAN）和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)（如LTE、5G），技術(shù)參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復(fù)時(shí)間。因其高速開(kāi)關(guān)和低信號(hào)失真特性，符合綠色制造標(biāo)準(zhǔn)。