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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時(shí)為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時(shí)），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動(dòng)態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。

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  ADI晶圓ADT7517 2022-11-01 16:50:15

  ADT7516/ADT7517/ADT7519集成了一個(gè)10位溫度數(shù)字轉(zhuǎn)換器，一個(gè)10位4通道ADC和一個(gè)4通道12/10/8位DAC在一個(gè)16針QSOP包中。ADT7517?還有一個(gè)內(nèi)置的帶隙溫度傳感器和一個(gè)10位ADC，適用于溫度監(jiān)測(cè)和0.25°C分辨率的數(shù)字化。