Renesas射頻衰減器
發(fā)布時(shí)間:2022-05-09 16:53:13 瀏覽:971
Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數(shù)字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應(yīng)用包括無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施(基站和寬帶基礎(chǔ)設(shè)施)(CATV))、微波無線電、通訊衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用型通信設(shè)備、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。
Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA),優(yōu)化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件,限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超過額定范圍。Renesas的創(chuàng)新型Glitch-Free?技術(shù)可以清除發(fā)送和/或接收路徑中的衰減設(shè)置過沖(毛刺),可以使最高有效位(MSB)過渡期間瞬時(shí)毛刺減少了95%。
另外,Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶提供模擬控制,以滿足需要更準(zhǔn)確的衰減應(yīng)用程序。這些與類似的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標(biāo),在電壓控制范圍內(nèi)線性衰減(dB)。硅基RF半導(dǎo)體技術(shù),Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導(dǎo)體技術(shù)提供了強(qiáng)有力的替代方案。硅技術(shù)提供了更強(qiáng)的靜電放電(ESD)保護(hù),更好的溫度敏感度等級(jí)(MSL)、硅技術(shù)長(zhǎng)期性驗(yàn)證的更理想的熱性能指標(biāo)、更低的電流消耗和安全可靠性。
射頻衰減器的目的是根據(jù)系統(tǒng)的需要調(diào)節(jié)無線電發(fā)送器或接收器信號(hào)鏈中的信號(hào)范圍。通常采用數(shù)字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調(diào)節(jié)衰減值。針對(duì)模擬衰減器或數(shù)字衰減器的選擇,需要根據(jù)應(yīng)用要求實(shí)現(xiàn)權(quán)衡。Renesas專業(yè)工程師可以幫助用戶選擇最適宜的設(shè)備。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)代理分銷Renesas產(chǎn)品線,部分系列常備現(xiàn)貨。
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Product ID | Frequency Range (MHz) | Supply Voltage (V) | Lead Count (#) | Input IP3 (dBm) | Gain (dB) | Gain Resolution (dB) | Output Impedance |
F1912 | 1 - 4000 | 3 - 5.25 | 20 | 63 | -1.4 | 0.5 | 50 |
F1950 | 150 - 4000 | 3 - 5.25 | 24 | 65 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1951 | 100 - 4000 | 3 - 5.25 | 24 | 68 | -1.2 | 0.5 | 50 |
F1953 | 400 - 4000 | 2.7 - 3.3 | 20 | 63 | -1.4 | 0.5 | 50 |
F1956 | 1 - 6000 | 3 - 5.25 | 32 | 64 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1958 | 1 - 6000 | 3 - 5.5 | 24 | 63 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1975 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 20 | 64 | -1.2 | 0.5 | 75 |
F1977 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 32 | 64 | -1.4 | 0.25 | 75 |
F1978 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 20 | 64 | -1.2 | 0.5 | 75 |
F2250 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 65 | -1.4 | 50 | |
F2251 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 67 | -1.4 | 50 | |
F2255 | 1 - 3000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 60 | -1.1 | 50 | |
F2258 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 65 | -1.4 | 50 | |
F2270 | 5 - 3000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 62 | -1.1 | 75 |
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Microsemi 1N3595AUR是一款高可靠性開關(guān)二極管,采用金屬化鍵合、氣密封裝的雙插頭結(jié)構(gòu)(DO-213AA),符合MIL-PRF-19500/241標(biāo)準(zhǔn)。其電氣特性包括寬范圍的正向電壓(0.52V-1.00V)、極低的反向漏電流(最大3μA)和快速反向恢復(fù)時(shí)間(≤3.0μs),適用于高頻開關(guān)、電源整流、脈沖電路及軍用航空電子設(shè)備。該二極管具有優(yōu)異的熱性能,工作溫度范圍為-65°C至+175°C,支持高浪涌電流(1μs下4A)和125V直流反向電壓,封裝尺寸緊湊,引腳材料為銅包鋼,表面鍍錫/鉛,確保高穩(wěn)定性和耐用性。
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